3D V-NAND voor prestaties, uithoudingsvermogen en betrouwbaarheid
Samsungs flashgeheugen wordt vervaardigd volgens een innovatieve 3D V-NAND-architectuur, waarbij de cellen in 32 lagen boven elkaar liggen. Het resultaat: een hogere dichtheid en betere prestaties bij een kleiner formaat. Er wordt korte metten gemaakt met de dichtheidslimieten van de conventionele vlakke NAND-architectuur.

De 850 EVO biedt gegarandeerd uithoudingsvermogen en betrouwbaarheid dankzij 3D V-NAND technologie door een bijna twee keer zo hoge TBW (totaal geschreven bytes) als de vorige generatie 840 EVO. Bovendien ontvang je een unieke garantie van vijf jaar. De prestaties van de 850 EVO lopen met de jaren nauwelijks terug en liggen 30% hoger dan die van de 840 EVO. Deze SSD behoort dan ook tot de betrouwbaarste opslagapparaten.

Doe langer met je laptopbatterij
Met de 850 EVO gaat de batterij van je laptop duidelijk langer mee. De voor 3D V-NAND geoptimaliseerde controller maakt nu Device Sleep mogelijk bij een ongekend stroomgebruik van slechts 2 mW. De 850 EVO gaat tijdens schrijfbewerkingen 25% efficiënter om met energie dan de 840 EVO, doordat 3D V-NAND de helft minder stroom gebruikt dan Planar 2D NAND.

De 850 EVO MZ-75E250B/EU van Samsung heeft een opslagcapaciteit van 250 GB. Deze SSD heeft een leessnelheid van 540 MB/sec en een schrijfsnelheid van 520 MB/sec. De SSD is voorzien van een Serial ATA/600 interface, 512 MB Low Power DDR3 SDRAM cache geheugen en een Samsung MGX Controller. Daarnaast ondersteunt de MZ-75E250B/EU technologieën als TRIM, S.M.A.R.T, Auto Garbage Collection Algorithm en WWN.